- 最後登錄
- 2024-4-7
- 在線時間
- 0 小時
- 註冊時間
- 2007-9-11
- 閱讀權限
- 30
- 精華
- 0
- UID
- 2312938
- 帖子
- 1728
- 積分
- 1033 點
- 潛水值
- 48281 米
| 分享使你變得更實在,可以使其他人感到快樂,分享是我們的動力。今天就來分享你的資訊、圖片或檔案吧。 傳聞三星電子(Samsung Electronics)尚未完全解決1x奈米DRAM的不良問題,但由於2019年記憶體市場偏向景氣衰退的一年,DRAM不良問題或許可因此讓三星轉禍為福。
據韓媒Metro報導,美國某伺服器業者要求三星電子確認1x奈米DRAM的不良原因,出問題的部分為調整電壓的柵氧化層(gate oxide),嚴重時會造成資料毀損,不良問題的規模比先前還大。
造成DRDM柵氧化層不良的原因有設計、初期製程、設備操作錯誤等多種可能,目前三星電子正努力調查問題並尋求解決。
2018年第2季三星電子曾因1x奈米DRAM的不良品增加,使出貨量減少。雖然後來三星在法說會上表示已解決不良情況,業界仍不時傳出或大或小的不良案例。半導體業界對出現產品不良要求業者查明的情況相當多見,但不良現象的規模過大或業者持續查不出原因時,就會演變成重大問題。
三星電子在市場上仍以極大差距領先對手掌握主導權,近期還宣布即將在2019年下半量產第三代10奈米級(1z)DRAM。業界認為三星此舉是為了以技術能力克服危機,因為過去當1x奈米DRAM不良議題出現時,市場便擔心三星可能延後新一代半導體導入計畫。
然而在時間上,2019年半導體市場步入衰退,因為1x奈米DRAM發生不良,三星電子在不刻意減少產量下,也能將製程逐漸轉換為1y奈米生產,持續保持DRAM市場領先。
目前記憶體市場上多數業者忙於提高1x奈米DRAM產量,SK海力士(SK Hynix)也未能啟動1y製程量產。三星電子若提高1y製程DRAM的生產比例,在生產效率與產品效能上可擴大差距。
不過後續投資資金可能是三星方面的問題。三星電子先前發表過2019年將減少投資,副會長李在鎔也即將接受法院宣判,接下來要執行大規模投資計畫恐不容易。... |
|