[傳三星1x奈米DRAM不良待解 多方奔走尋找原因][DIGITIMES][2019-03-25]

odafan

傳聞三星電子(Samsung Electronics)尚未完全解決1x奈米DRAM的不良問題，但由於2019年記憶體市場偏向景氣衰退的一年，DRAM不良問題或許可因此讓三星轉禍為福。

據韓媒Metro報導，美國某伺服器業者要求三星電子確認1x奈米DRAM的不良原因，出問題的部分為調整電壓的柵氧化層(gate oxide)，嚴重時會造成資料毀損，不良問題的規模比先前還大。

造成DRDM柵氧化層不良的原因有設計、初期製程、設備操作錯誤等多種可能，目前三星電子正努力調查問題並尋求解決。

2018年第2季三星電子曾因1x奈米DRAM的不良品增加，使出貨量減少。雖然後來三星在法說會上表示已解決不良情況，業界仍不時傳出或大或小的不良案例。半導體業界對出現產品不良要求業者查明的情況相當多見，但不良現象的規模過大或業者持續查不出原因時，就會演變成重大問題。

三星電子在市場上仍以極大差距領先對手掌握主導權，近期還宣布即將在2019年下半量產第三代10奈米級(1z)DRAM。業界認為三星此舉是為了以技術能力克服危機，因為過去當1x奈米DRAM不良議題出現時，市場便擔心三星可能延後新一代半導體導入計畫。

然而在時間上，2019年半導體市場步入衰退，因為1x奈米DRAM發生不良，三星電子在不刻意減少產量下，也能將製程逐漸轉換為1y奈米生產，持續保持DRAM市場領先。

目前記憶體市場上多數業者忙於提高1x奈米DRAM產量，SK海力士(SK Hynix)也未能啟動1y製程量產。三星電子若提高1y製程DRAM的生產比例，在生產效率與產品效能上可擴大差距。

不過後續投資資金可能是三星方面的問題。三星電子先前發表過2019年將減少投資，副會長李在鎔也即將接受法院宣判，接下來要執行大規模投資計畫恐不容易。...

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